1. Hva er HJT?

HJT solceller: det vil si amorfe silisium tynnfilm heterojunction solceller. Det er en heterojunction sammensatt av to forskjellige halvledermaterialer. Krystallinsk silisium heterojunction solar cell (HJT) er en tynn film av amorft silisium avsatt på krystallinsk silisium. Den kombinerer fordelene med krystallinske silisiumsolceller og tynnfilmsolceller, med høy konverteringseffektivitet, lav prosesstemperatur, høy stabilitet og dempning. Med fordelene med lav effektrate og tosidig kraftproduksjon er teknologien subversiv.

2. Hvorfor er du optimistisk HJT solcelleanlegg?

Essensen av solcellepanel teknologi iterasjon er at kostnadsreduksjon og effektivitetsforbedring, høy effektivitet og lave kostnader er utviklingsretningen.

HJT er utviklingsretningen til en ny generasjon solcelleteknologi på grunn av sin høye fotoelektriske konverteringseffektivitet, høye tosidige forhold, forenklet utstyrsprosess, lav produktlysdemping, sterk stabilitet, stor plass for kostnadsreduksjon og effektivitetsforbedring, og brede utsikter.

Sammenligning av flere solceller:

1) PERC: Prosessflyten til PERC-solceller er relativt enkel og utstyret er modent. De siste to årene har noen effektivitetsforbedringsprosesser vært standard, som laser SE, alkalipolering, optisk injeksjon/elektrisk injeksjon osv. PERC-teknologien er hovedsakelig basert på avsetning av passiveringslaget på baksiden og laserrilling. På dette grunnlaget legges frontside SE-laser og optisk injeksjon/elektrisk injeksjonsgløding og andre prosesser til når prosessen forbedres og optimaliseres.

2) TOPCon: Først prepareres et 1-2nm tunneloksidlag på baksiden av solcellen, og deretter avsettes et lag med dopet polysilisium. De to danner sammen en passiveringskontaktstruktur, som gir god grensesnittpassivering for baksiden av silisiumplaten. .

3) HJT: N-type enkrystall silisium (C-Si) brukes som substratlysabsorpsjonsområde, og etter teksturering og rengjøring, en iboende amorf silisiumfilm (i-a-Si: H ) og dopet P-type amorft silisium ( P-a-Si:H), og silisiumsubstratet danner en p-n heterojunction. Baksiden av silisiumplaten dannes ved å avsette i-a-Si:H og dopet N-type amorft silisium (n-a-Si:H) med en tykkelse på 5-10nm for å danne et bakoverflatefelt. ), og til slutt dannet metallbaserte elektroder på de øverste lagene på begge sider ved silketrykk, som er en typisk struktur for heterojunction solceller.

4) IBC: En solcelle hvor både den p+ dopede regionen og den n+ dopede regionen er plassert på baksiden av solcellen (ikke-lysmottakende overflate). Den lysmottakende overflaten til IBC-solcellen er ikke blokkert av noen metallelektroder, og øker dermed kortslutningsstrømmen til solcellen effektivt. , slik at energikonverteringseffektiviteten til solceller forbedres.

Sammenligning av den høyeste laboratorieeffektiviteten til fotoelektrisk konvertering: PERC er 24 %; TOPCon er 26 %, som er en laboratorierekord på et lite område på 4 cm i Tyskland, og den høyeste kommersialiseringseffektiviteten til Jinko er 25,4 % i et stort område; HJT er LONGi M6 laboratorium. De siste dataene når 26,5 %, mens den teoretiske effektiviteten til HJT+perovskite tandemsolceller kan nå 43 %.

For tiden er den gjennomsnittlige effektiviteten til masseprodusert mikrokrystallinsk HJT 24,95%, og utbyttegraden er 96,4%, noe som har åpenbare fordeler i effektivitetsforbedring sammenlignet med andre solceller.

UNITED ENERGY følger også nøye med på bransjetrenden. Den har begynt å distribuere HJT-produksjonslinjen siden slutten av 2022, og den forventes å bli offisielt satt i produksjon innen utgangen av 2023!