HJT 2.0-teknologi Kombinere gettering-prosess og enkeltside uc-Si-teknologi for å sikre høyere celleeffektivitet og høyere moduleffekt. -0,26%C Pmax temperaturkoeffisient Mer stabil kraftproduksjonsytelse og enda bedre varmt klima. SMBB-design med Half-Cut-teknologi Kortere strømoverføringsavstand, mindre resistivt tap og høyere celleeffektivitet. Opptil 90 % bifasialitet Naturlig symmetrisk bifacial struktur som gir mer energiutbytte fra baksiden. Tetting med PIB-basert fugemasse Sterkere vannmotstand, større luftgjennomtrengelighet for å utvide modulens levetid.