HJT 2.0 TeknologiKombinerer gettering-prosess og ensidig uc-Si-teknologi for å sikre høyere celleeffektivitet og høyere moduleffekt.-0,26%C Pmax temperaturkoeffisientMer stabil kraftproduksjonsytelse og enda bedre inneklima.SMBB-design med Half-Cut-teknologiKortere strømoverføringsavstand, mindre resistivt tap og høyere celleeffektivitet.Opptil 90 % bifasialitetNaturlig symmetrisk bifacial struktur som gir mer energiutbytte fra baksiden.Tetting med PIB-basert fugemasseSterkere vannmotstand, større luftgjennomtrengelighet for å utvide modulens levetid.